溫度系數(shù)低的薄膜電阻的生產(chǎn)工藝是目前常用的設(shè)計(jì)方法。薄膜電阻的生產(chǎn)結(jié)構(gòu)包括氧化鋁陶瓷基板、TaN電阻材料層和Ni70Cr30金屬電阻材料層、Cu/Ni/Au電極層、SiO2保護(hù)層。氧化鋁陶瓷基板與Ni70Cr30金屬電阻材料層之間設(shè)置有TaN電阻材料層； Ni70Cr30金屬電阻材料層表面設(shè)有Cu/Ni/Au電極層，在非Cu/Ni/Au電極層區(qū)域設(shè)有SiO2保護(hù)層。薄膜電阻超低電阻溫度系數(shù)的生產(chǎn)方法包括以下步驟：   
     1、薄膜電阻選用氧化鋁陶瓷基板，尺寸為50.8mm×50.8mm×0.254mm，純度99.6%。清洗后，采用磁控濺射的方法依次沉積負(fù)電阻溫度系數(shù)TaN電阻材料層、正電阻溫度系數(shù)Ni70Cr30金屬電阻材料層和Cu/Ni/Au金屬電極層；
     2、將生產(chǎn)的薄膜電阻放入200℃的烘箱中，熱處理6小時(shí)；
     3、另外，薄膜電阻采用光刻和濕法刻蝕的方法制作金屬電極區(qū)圖形；
     4、薄膜電阻金屬電極采用光刻法和離子刻蝕法制作，Ni70Cr30金屬材料層制成電阻線圖形；
     5、將得到的基板放入夾具中，測得薄膜電阻溫度系數(shù)為5.7～10.4ppm/℃；
     6、經(jīng)過離子刻蝕和激光調(diào)阻的方法，減小了Ni70Cr30金屬電阻材料層的面積，測試溫度系數(shù)為3.2～6.8ppm/℃；
     7、使用PECVD在基板正面沉積一層SiO2保護(hù)層，通過光刻/Au金屬電極層區(qū)域暴露Cu/Ni。
另外，在制備負(fù)溫度系數(shù)薄膜電阻時(shí)，其制作方法如下：
     1、在清洗干凈的玻璃或陶瓷基板上，依次沉積負(fù)電阻溫度系數(shù)材料層和正電阻溫度系數(shù)材料層和金屬電極層；
     2、貼片電阻進(jìn)行熱處理，然后制作金屬電極區(qū)圖形；
     3、將正電阻溫度系數(shù)材料層制成所需的線型；
     4、減小負(fù)電阻溫度系數(shù)材料層面積或同時(shí)減小正電阻溫度系數(shù)材料層和負(fù)電阻溫度系數(shù)材料層的面積，得到低溫度系數(shù)薄膜電阻電阻溫度系數(shù)≤±10ppm/℃；
     5、在金屬電極區(qū)外的區(qū)域涂上鈍化保護(hù)層。       
此外，在制備具有正溫度系數(shù)的薄膜電阻時(shí)，生產(chǎn)工藝也有所不同。詳情如下：
    1、在干凈的玻璃或陶瓷基板上依次沉積負(fù)電阻溫度系數(shù)材料層、正電阻溫度系數(shù)材料層和金屬電極層；
    2、加熱薄膜電阻，然后制作金屬電極區(qū)圖形；
    3、使材料層具有正電阻溫度系數(shù)所需的線型；
    4.減小電阻正溫度系數(shù)材料層的面積或同時(shí)減小電阻溫度系數(shù)為正的材料層和電阻溫度系數(shù)為負(fù)的材料層的面積，得到電阻溫度系數(shù)≤±10ppm/℃ 低溫度系數(shù)薄膜電阻；
    5、在金屬電極區(qū)外的區(qū)域涂上鈍化保護(hù)層。
通過上述方法生產(chǎn)的薄膜電阻器可以保證薄膜電阻器在低溫漂移設(shè)計(jì)中的穩(wěn)定性能。
  很多電阻廠家在選擇生產(chǎn)工藝時(shí)都會仔細(xì)考察市場情況。目前這種薄膜電阻的生產(chǎn)工藝非常優(yōu)越，很多高端薄膜電阻廠商已經(jīng)進(jìn)行了布局生產(chǎn)，這種低溫漂系數(shù)薄膜電阻得到了市場的廣泛認(rèn)可，具有非常大的市場潛力。電阻市場前景。